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相对于硅基器件，具有易于使用（兼容Si MOSFET驱动）、可靠性高、性能参数领先等优点。
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Part number |
Package | VDSS (V) |
RDS(on), typ(mΩ) |
Vth(V) |
IDS @25°C max |
IDS (pulse) 25°C max |
QOSS(nC) |
Qg (nC) |
Operating Temperature max | Product status | Datasheet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3N65R099PD-H | DFN8x8-8L | 650 | 99 | TBD | TBD | TBD | TBD | TBD | TBD | Under Development | 更新中 |
| G3N65R099TC-H | TO-252-3L | 650 | 99 | TBD | TBD | TBD | TBD | TBD | TBD | Under Development | 更新中 |
| G3N65R099TF-H | TO-220F-3L | 650 | 99 | TBD | TBD | TBD | TBD | TBD | TBD | Under Development | 更新中 |
| G3N65R099TL-H | TOLL | 650 | 99 | TBD | TBD | TBD | TBD | TBD | TBD | Under Development | 更新中 |
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