“芯”品发布｜镓未来推出“9mΩ”车规级 GaN FET ，打破功率氮化镓能效天花板！

近日，镓未来正式宣布推出 G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。这款完全符合汽车 AEC-Q101 标准的 650V 氮化镓分立器件，以全球最小的 9mΩ 导通电阻（Rds(on)），引起行业内广泛关注，迅速成为氮化镓功率半导体在新能源汽车领域性能优化的新标杆。

镓未来 G2E65R009 系列产品封装外形：

TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（内绝缘）

• 车规级器件水平：符合汽车应用的 AEC-Q101 标准，满足进入汽车供应链的核心认证；

• Si MOSFET 驱动兼容：无需修改现有驱动电路，直接替换传统硅基器件，缩短产品应用开发周期；

• 9mΩ 超低导通电阻（Rds(on))：超 1500A 饱和电流（25℃）能力，降低开关和导通损耗超过 60%；

• 全拓扑高效运行：极低的 Qoss 可以保证无论是硬开关的 DC-DC 转换器，还是软开关的 LLC 谐振电路，均能保持极高的转换效率；

• 优化死区管理：关断状态下提供最低反向导通电压，以降低死区时间损耗；

• 热性能表现优异：为电源工程师后续应用设计提供更多产品优化选项。

   

  

当行业还在为 15mΩ 的导通电阻参数竞争时，镓未来 G2E65R009 系列产品直接将这一数值缩小至 9mΩ——这意味着什么？

• 导通损耗降低 60%：相比传统硅基 IGBT，其开关损耗和导通损耗均降低 60% 以上，相当于每台新能源汽车电机控制器可减少约 150W 的无效功耗，对应续航里程提升 3%~5%；

• 热管理革命：仅为 9mΩ 的超低导通电阻配合 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L 封装的优异散热设计，热阻低至 0.2℃/W 相较传统 SiC MOSFET 降低约 40%；

• 效率跃升：经过镓未来实验室实测，在 P-out 为 5.3kW 时，峰值效率可达 99.35%；

• 功率翻倍：单颗分立器件支持高达 20kW 的功率输出 ，稳居行业顶尖水平。可以满足更多大功率应用场景需求，实现高功率密度和高设计自由度的完美结合！

Vin=240V, Vout=400V, fsw=50kHz

镓未来 G2E65R009 最打动行业的，或许是其“革命性性能+兼容性设计”的双重优势。镓未来产品的自身技术特点，可以实现与传统硅基器件 Pin to Pin 兼容，汽车级可靠性与无缝替换的能力已然成为工程师应用解决方案的不二之选，加之于此款产品低至 9mΩ 的导通电阻，将为新能源汽车、工业电机、储能系统、光伏逆变等多领域带来更多技术突破的可能。

将目光转向终端市场，客户的核心采购驱动力早已聚焦于“更极致的效率、更优异的体验和更具效益的总成本”——即通过更集成的设计、更可靠的品质与更优的整体能效，为其终端产品构建市场竞争力，建立市场信任。在此背景下，具备突破性性能的核心器件，正成为推动产品迭代与产业进阶的关键支点。

作为电子产业链的上游核心力量，镓未来始终专注 GaN 半导体创新，致力于为业界提供可靠、高效、智能的解决方案。在开发 G2E65R009 产品过程中，我们紧密围绕客户的核心诉求，精准把握技术发展的主流趋势，力求与合作伙伴共建共赢的产业生态。目前，该产品已与多家头部车企及核心 Tier1 供应商携手，进入实质性的研发验证阶段，共同推进技术落地与应用升级。

我们有信心，该产品在后续应用中，将为合作伙伴在便捷性、可靠性、高效性等方面带来更多积极体验与广阔的探索空间。